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pvd電弧深黑技術

电弧法一般无法实现深黑色的镀层,只能镀到深灰。采用電弧深黑技術可以实现深黑电弧镀层。

  • 適于低成本鍍制深黑色膜層
  • 在五金衛浴門鎖領域有著廣闊的應用前景

pvd離子過濾

电弧法的离子颗粒较大,采用離子過濾技术可以大幅改善膜层质量。

  • 濾除大顆粒和原子團
  • 實現鏡面膜

pvd比例給氣自動流量控制器

比例給氣自動流量控制器的PVD設備会让生产更加得心应手。

  • 預定加減氣體函數。
  • 實現漸進給氣

pvd數控節流閥

節流閥采用微電腦控制的步進電機,主要有如下優點:

  • 節流閥在0~90度任意可調
  • 控制角度精確,工藝穩定
  • 數據設置操作簡單

 

磁控濺射鍍膜機

中频磁控溅射镀膜技术是镀制化合物及氧化物膜的理想設備,彻底克服了打弧的现象,并且溅射速度快,适合镀制铟锡合金(ITO),氧化铝(AL2O3),二氧化硅(SIO2),氧化钛(TiO2),氮化硅(Si3N4)等,配置多个靶及膜厚仪可镀制多种多层复合膜。

技術指標

1 镀膜室尺寸:Φ1200 mm X 900 mm 、 Φ1200 mm X 1500 mm、Φ1500 mm X 1200 mm

2 极限真空度:优于<1.3×10-3 pa(冷态包括转架)

3 排空时间:( 冷态,包括工件架 )在扩散泵已正常工作情况下,从大气抽至6.6 x 10-3 Pa时间〈 20min

4 等离子体加速器电弧靶6只+中频平面靶4只+离子源1只

采用最新開發的距形平面濺射靶:確保顆粒細膩;幅射均勻;高真空弧光平穩.

技术特征 :

  • 內置加速電場

  • 恒定高斯的水平磁場

  • 直接水冷

  • 采用濺射靶專用電源

5 溅射电源采用我公司独有的脉冲溅射专用电源,具有特殊保护电路装置.技术特征:

  • 中頻孿生靶磁控濺射電源:最有效地杜絕了磁控濺射“靶中毒”的現象,可以在采用純金屬靶材的前提下,制備包括氧化物在內的各種化合物薄膜,是取代射頻磁控的先進鍍膜方法。同時可以有效地提高磁控濺射制備的純金屬薄膜的沈積速率,在批量化生産中,提高生産效率

  • 该电源采用了先进的高频开关技术,使用最新IGBT器件,具有优异的输出特性和良好的适应性。参数调节范围宽且稳定,保护措施完善合理,具备体积小,重量轻,效率高的优点。是双极孪生对靶磁控溅射技术的关键設備,是镀ITO膜,介质膜,绝缘保护膜等产品必备的专用电源。

6 工件架转速(内6轴外8轴)额定值:公转转速4r/mim,自转转速15r/min。

  • 變頻調速,無級漸變,緩起緩停,可換向

  • 負重250KG

7 供气系统:两路(可选配三路或四路)比例给气自动质量流量控制.流量500—1000SCCM每路

  • 自動跟隨真空室壓強,自動調節進氣量

  • 每路氣均有質量流量顯示

  • 無需混氣罐,調節無滯後

  • 預設比例,總量自動或手動均可

  • 預設強置換功能,生成起步氣沖

8 加热器输出功率0-21KW

9 压强控制:节流阀;自动压强调节

10 設備总功率:140KVA ,380V,三相四线制

11 温度测量方式:热电偶

表面測溫方式:紅外測溫儀(選購件)

12 設備总功率:110KVA max,380伏、三相四线制;

13 温度测量方式:热电偶,可选配红外测温仪

14 設備总重:4.5t

15 設備占地面积:6m X 8m

16 冷却水流量: 2t/hr (进水温度25摄氏度以下,压力2KG/CM 2)

 

 

pvdπ形轉靶

 

  • 節省鍍膜時間
  • 實現定向鍍膜

pvd石墨弧靶

 

  • 解決石墨靶鑽弧滅弧問題
  • 可以鍍制電弧法DLC

pvd線形離子源

 

  • 氣體離化
  • 工件刻蝕輔助清洗

pvd離子滲透

 

  • 聯合ARC沈積基礎
  • 模具性能壽命顯著倍增

pvd大功率偏壓電源

 

  • 自動生成閥值,無需經常調節
  • 函數波形輸出,起弧可能減至最小
  • 數字邏輯控制,准確無誤
  • 調制電壓的主弧轟擊,功力強勁

pvd引孤系統改造

 

  • 自動引弧
  • 快速續弧
  • 不粘弧
  • 相鄰弧源互相幫助